Technika

Elipsometria spektroskopowa, elipsometria zmienno-temperaturowa cienkich warstw

Warunki pomiaru:

• Zakres spektralny 240 – 2500 nm
• Pomiary w modzie odbiciowym
• Pomiary w modzie transmisyjnym
• Pomiary temperaturowe w zakresie od –150 ⁰C do + 450⁰C
• Możliwość pomiaru rezystancji elektrycznej, jednocześnie z pomiarami elipsometrycznymi

Możliwości badawcze:

Pomiary bez konieczności modelowania:

• kąty elipsometyczne Ψ i Δ (możliwy pomiar wielokątowy w zakresie: 40⁰ – 70⁰)
• transmisja (możliwość wyboru mniejszego zakresu spektralnego, niż 240 – 2500 nm)
• pomiar temperatury zeszklenia, lub zimnej krystalizacji (warunki pomiaru dobierane indywidualnie do próbki)

Pomiary wymagające modelowania:

• pomiar współczynnika ekstynkcji, współczynnika załamania światła, stałych dielektrycznych, grubości próbek, udziału procentowego składników warstw typu „bulk”
• możliwość wykonania map powierzchniowych próbek (zmiany grubości, współczynników ekstynkcji, załamania, koncentracji składników w warstwach typu „bulk”) w skali makroskopowej, z wykorzystaniem mikrospotów (rozmiar plamki 200 μm)
• pomiar zmian temperaturowych grubości, współczynników optycznych i dielektrycznych

Wszystkie mierzone próbki muszą mieć postać cienkich warstw, o grubości do 2μm, muszą być osadzone na podłożach z krzemu polerowanego (o znanej grubości tlenku krzemu na powierzchni), na płytkach ze szkła mikroskopowego (matowych jednostronnie), lub na płytkach kwarcowych (przezroczystych).

Kierownik Pracowni:  

Prof. dr hab. Ewa Schab-Balcerzak, ebalcerzak@cmpw-pan.pl.pl, tel. 32 271-60-77 w. 112

Osoba odpowiedzialna/wykonująca analizy:  

Dr Barbara Hajduk, bhajduk@cmpw-pan.pl; tel. . +48 32 271 60 77 w. 120